一种Bi2OS2沉积的波纹状ZnO纳米棒阵列及制备与应用
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商品编号：CN201910440037.9
专利号：CN201910440037.9
所属行业：
专利类型：
专利有效期：2021-09-21至2039-05-24
专利授权日期：
专利授权国家：中国
专利权人：华南理工大学
发明人：於黄忠 巫祖萍 黄承稳 陈金雲 侯春利 王键鸣
专利状态：有效
所属地区：广州市
交易方式：
本发明属于太阳能电池领域,公开了一种Bi2OS2沉积的波纹状ZnO纳米棒阵列及制备与应用。将Zn(COOH)2的乙醇溶液旋涂在ITO基底表面,升温至200~300℃进行退火处理,得到波纹状ZnO晶种层,然后浸入Zn(NO3)2·6H2O和六亚甲基四胺的水溶液中,85~95℃温度下生长纳米棒,清洗干燥后得到负载有ZnO纳米棒阵列的ITO基底;将Bi2OS2粉末超声分散于水中,然后将Bi2OS2分散液滴加到ZnO纳米棒阵列上进行沉积,清洗干燥,得到产物。本发明的Bi2OS2沉积的波纹状ZnO纳米棒阵列可作为有机太阳能电池的电子传输层,并最终提高有机太阳能电池的短路电流和光电转换效率。
